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光刻在光刻胶上画出图形,刻蚀则把这个图形真正刻进硅片材料里。芯片上的晶体管沟槽、互连孔洞,都是刻蚀一刀一刀刻出来的。这个环节直接决定图形的保真度,是芯片制造中技术含量居前的工序。
刻蚀分干法和湿法。湿法用化学溶液腐蚀材料,成本低但方向控制弱;干法用等离子体轰击,方向性好、精度高,是先进制程的主流。干法刻蚀设备又分电容耦合(CCP)和电感耦合(ICP)等类型,ICP能独立调节等离子体密度与离子能量,适合精细结构加工。北方华创的刻蚀产品以ICP路线为主,NMC612D机型适配14纳米FinFET工艺。在存储领域,高深宽比刻蚀要一次打穿几十层堆叠结构,对设备的挑战尤其大。
刻蚀机约占半导体设备市场的20%,市场空间大,而国内厂商起步早。北方华创的55/65纳米硅刻蚀机曾成为中芯国际Baseline机台,2025年上半年其刻蚀机出货量突破1000台。刻蚀与薄膜合计约占设备市场四成,国产厂商在这两个领域的进展,决定了设备国产化的基本盘。
刻蚀腔体在运行中会逐渐积累聚合物,工艺漂移随之而来,腔体清洗和部件更换是日常维护的重头。设备商提供的维护周期建议和备件寿命数据,是产线排产时必须考虑的约束条件。采购谈判中把维保方案问细,比压低采购价对长期运营的影响更大。