高可靠性新能源汽车驱动控制器AMB氮化硅基板定制案例分析与测试
车规级主驱逆变器用AMB氮化硅陶瓷基板定制与性能验证
技术审核：刘工（微电子封装可靠性专家） | 发布日期：2026年8月6日
本项目针对新能源汽车 800V 碳化硅（SiC）主电机控制器，定制开发了一款高强度活性金属焊接（AMB）氮化硅陶瓷基板。项目要求基板能够承受超过 0.8mm 厚度的双面无氧铜层，同时满足极端严苛的冷热冲击与绝缘耐压要求。
下表展示了该定制 AMB 氮化硅基板的设计工程指标与实测出厂数据：
| 工程评估项目 | 客户定制技术指标 | 批次交货实测数据与判定 |
|---|---|---|
| 陶瓷基板规格与厚度 | Si₃N₄（热导率 ≥ 80 W/m·K），厚度 0.32 mm | 实测热导率 83.5 W/m·K，厚度公差 ±0.01 mm |
| 双面覆铜层厚度与材质 | C10200 无氧铜，正反面厚度均为 0.80 mm | 铜层厚度达标，界面结合无空洞（C-SAM 抽检 ＜ 0.5%） |
| 铜层垂直剥离强度（Peel Strength） | ≥ 20.0 N/mm | 实测平均值 24.8 N/mm，拉拔断裂点位于铜层内部 |
| 冷热冲击循环（-55℃ ~ 175℃） | ≥ 2000 次循环无分层、无开裂 | 实际测试通过 3000 次液体对液体冲击，无绝缘失效 |
| 交流工频耐压测试（50Hz / 1min） | ≥ 4.0 kV (AC RMS)，漏电流 ＜ 1mA | 实测击穿电压 ＞ 6.5 kV，绝缘安全裕度充足 |
本案例成功采用了阶梯减应力蚀刻（Dimple Process）与高活性 Ag-Cu-Ti 活性焊料，有效缓释了厚铜层在温度急剧变化时对陶瓷边缘产生的应力破坏，顺畅通过车规级 AQG 324 可靠性认证。
测试数据摘自质量检测与客户质检报告。